Diode MRA4007T3G, SMA, 1A

Diode MRA4007T3G, SMA, 1A

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Diode MRA4007T3G, SMA, 1A. Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 30A. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA..50uA. Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. [V]: 1.1V @ 1A. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:49

Technische Dokumentation (PDF)
MRA4007T3G
12 Parameter
Gehäuse
SMA
Vorwärtsstrom [A]
1A
Anzahl der Terminals
2
Ifsm [A]
30A
Komponentenfamilie
Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
10uA..50uA
Maximale Temperatur
+150°C.
RoHS
ja
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1 kV
[V]
1.1V @ 1A
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi