Diode P600M, R-6, 6A, 6A, 400A, 6A, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V

Diode P600M, R-6, 6A, 6A, 400A, 6A, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V

Menge
Stückpreis
1-4
0.20fr
5-49
0.16fr
50-99
0.14fr
100-199
0.13fr
200+
0.11fr
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Diode P600M, R-6, 6A, 6A, 400A, 6A, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V. Gehäuse: R-6. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 6A. IFSM: 400A. Vorwärtsstrom [A]: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Cj: 150pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 5A. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Ifsm [A]: 450A. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A10. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.1V. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. MSL: -. Max Rückspannung: 1kV, 1000V. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 300A. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 25uA / 1000V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Schwellenspannung: 1.1V, 900mV. Serie: P600. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Strom fahren: 6A. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. [V]: 1V @ 5A. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27

Technische Dokumentation (PDF)
P600M
45 Parameter
Gehäuse
R-6
Vorwärtsstrom (AV)
6A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
6A
IFSM
400A
Vorwärtsstrom [A]
6A
Gehäuse (laut Datenblatt)
R-6 ( 9.1x9.1mm )
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Cj
150pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.0V / 5A
Durchlassspannung Vf (min)
1.1V
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Ifsm [A]
450A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
6A10
Komponentenfamilie
Standard-Gleichrichterdiode
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
10uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.1V
MRT (maximal)
500uA
MRT (min)
10uA
Max Rückspannung
1kV, 1000V
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
300A
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
1500ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
25uA / 1000V
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1 kV
Schwellenspannung Vf (max)
1.1V
Schwellenspannung
1.1V, 900mV
Serie
P600
Spec info
IFSM 400Ap (t=8.3ms)
Strom fahren
6A
Trr-Diode (Min.)
2500 ns
[V]
1V @ 5A
Originalprodukt vom Hersteller
Lge Technology