Diode US1G, SMA

Diode US1G, SMA

Menge
Stückpreis
1-4
0.48fr
5-9
0.30fr
10-19
0.19fr
20-49
0.13fr
50+
0.0993fr
Menge auf Lager: 100

Diode US1G, SMA. Gehäuse: SMA. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Eigenschaften des Halbleiters: Ultraschnelles Schalten. Halbleiterstruktur: Diode. Leckstrom: 5uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1V. Max Rückspannung: 400V. Montage/Installation: SMD. Pulsstrom max.: 30A. Reaktionszeit: 50ns. RoHS: ja. Strom fahren: 6A. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:22

US1G
13 Parameter
Gehäuse
SMA
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Eigenschaften des Halbleiters
Ultraschnelles Schalten
Halbleiterstruktur
Diode
Leckstrom
5uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1V
Max Rückspannung
400V
Montage/Installation
SMD
Pulsstrom max.
30A
Reaktionszeit
50ns
RoHS
ja
Strom fahren
6A
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor