Fairchild IRF610B N-Kanal Leistungs-MOSFET Transistor, 200V Vds, 3.3A Id, 1.16 Ohm Rds(on), TO-220 G

Technische Produktbeschreibung (IRF610B):

Spannung Vds(max): 200V. Idss (max): 3.3A. ID (T=25°C): 3.3A. ID (T=100°C): 2.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.16 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220. Gehäuse: TO-220. Montage/Installation: Leiterplatten-Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VGS @10V. Menge pro Gehäuse: 1. Pd (Verlustleistung, Max): 38W