Fuji Electric 2SK2028 N-Kanal Power MOSFET, 600V, 8A, 1 Ohm, TO-220F Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK2028):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 600V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 8A. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 8A. Dauer-Drainstrom Id (T=100°C): 4A. Durchlasswiderstand Rds(On): 1 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220F. Gehäuse: TO-220FP. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Technologie: FAP-IIA Serie. Menge pro Gehäuse: 1. Maximale Verlustleistung: 50W.