Fuji Electric 2SK2640 N-Kanal MOSFET, 500V, 10A, 0.73 Ohm, TO-220F15 Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK2640):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 500V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 200uA. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 10A. Dauer-Drainstrom Id (T=100°C): 10A. Durchlasswiderstand Rds(On): 0.73 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220F15. Gehäuse: TO-220FP. RoHS-konform: Ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Technologie: FAP-IIS Serie MOS-FET. Gate-Source-Schutz: Nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 70 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss(min): 10uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 25 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Puls-Drainstrom Id(imp): 40A. Gehäusemarkierung: K2640. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 3.5V. Eingangskapazität C(in): 950pF. Ausgangskapazität C(out): 180pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 450 ns. Maximale Verlustleistung: 50W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V.