Fuji Electric 2SK3530-01MR N-Kanal Power MOSFET, 800V, 7A, 1.46 Ohm, TO-220F Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK3530-01MR):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 800V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 250uA. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 7A. Dauer-Drainstrom Id (T=100°C): 7A. Durchlasswiderstand Rds(On): 1.46 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220F. Gehäuse: TO-220FP. RoHS-konform: Ja. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteil (SMPS). Technologie: Super FAP-G Serie POWER MOSFET. Gate-Source-Schutz: Nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 40 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss(min): 25uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 21 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Puls-Drainstrom Id(imp): 28A. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 3V. Eingangskapazität C(in): 740pF. Ausgangskapazität C(out): 105pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 2.3 ns. Maximale Verlustleistung: 70W. Drain-Source-Schutz: Ja. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 5V.