IGBT transistor IGP03N120H2. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 281 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.2 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-220AB. Herstellerkennzeichnung: G03H1202. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 3A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 9.9A. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16