IGBT-Transistoren - RPtronics

BUP313

IGBT transistor BUP313. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 530 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäu...

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FGA25N120ANTDTU

IGBT transistor FGA25N120ANTDTU. Gehäuse: TO-3P. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 25A. Transistortyp: IGBT-Transistor...

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FGA40N65SMD-DIóDA

IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 120ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -...

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FGL40N120ANDTU

IGBT transistor FGL40N120ANDTU. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3200pF. CE-Diode: ja. Einschaltzeit...

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HGTG20N60A4D

IGBT transistor HGTG20N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 n...

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HGTG20N60B3

IGBT transistor HGTG20N60B3. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 220 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25...

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IGP03N120H2

IGBT transistor IGP03N120H2. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 281 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.2 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. G...

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IGW60T120

IGBT transistor IGW60T120. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 480 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. C(in): 3700pF. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Gate-Du...

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IGW75N65H5XKSA1

IGBT transistor IGW75N65H5XKSA1. Aufladung: 160nC. Emitter - Torspannung: ±20V. Gehäuse: TO247. Kollektorstrom Ic [A]: 75A. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 300A. Spannung (Sammler - Emitter): ...

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IHW30N120R5XKSA1

IGBT transistor IHW30N120R5XKSA1. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 1800pF. CE-Diode: ja. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) ...

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IHW40N60RF

IGBT transistor IHW40N60RF. Gehäuse: TO-247AC. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 40A. Leistung: 305W. Transistortyp: IGBT-Transistor...

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IKP10N60T

IGBT transistor IKP10N60T. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 24A. Leistung: 110W. Transistortyp: IGBT-Transistor...

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IKW25N120H3FKSA1

IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. Drain-Source-Spannung: 1200V. Eingebaute Diode: ja. Gehäuse: TO-247AC. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Transistortyp: IGBT-Transistor...

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IKW25N120T2

IGBT transistor IKW25N120T2. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 265 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.4V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Ge...

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IKW50N120CS7XKSA1

IGBT transistor IKW50N120CS7XKSA1. Aufladung: 290nC. Eingebaute Diode: ja. Emitter - Torspannung: ±20V. Gehäuse: TO-247AC. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom Ic [A]: 50A. Kollektorstr...

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IRG4BC20FDPBF

IGBT transistor IRG4BC20FDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 43 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-22...

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IRG4BC20KDPBF

IGBT transistor IRG4BC20KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 180 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 450pF. CE-Diode: ja. Einschaltzeit t...

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IRG4BC20S

IGBT transistor IRG4BC20S. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB....

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IRG4BC20SPBF

IGBT transistor IRG4BC20SPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220...

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IRG4BC20UDPBF

IGBT transistor IRG4BC20UDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 93 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 39 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220...

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IRG4BC20UPBF

IGBT transistor IRG4BC20UPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 86 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 21 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220A...

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IRG4BC30FDPBF

IGBT transistor IRG4BC30FDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 230 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 42 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-22...

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IRG4BC30KDPBF

IGBT transistor IRG4BC30KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-22...

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IRG4BC30SPBF

IGBT transistor IRG4BC30SPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220...

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