IGBT-Transistoren

60 Produkte in der Kategorie IGBT-Transistoren verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel Infineon Technologies, IXYS, Toshiba, Onsemi (fairchild), ON Semiconductor, und 8 weiteren Herstellern

IRG4BC30UDPBF

IGBT transistor IRG4BC30UDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 91 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220...

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IRG4BC30UPBF

IGBT transistor IRG4BC30UPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 91 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220A...

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IRG4BC40KPBF

IGBT transistor IRG4BC40KPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220...

7.43fr

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IRG4BC40SPBF

IGBT transistor IRG4BC40SPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 650 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220...

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IRG4BC40UPBF

IGBT transistor IRG4BC40UPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 34 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220...

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IRG4PC30FDPBF

IGBT transistor IRG4PC30FDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 230 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 42 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-24...

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IRG4PC30KDPBF

IGBT transistor IRG4PC30KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-24...

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IRG4PC30SPBF

IGBT transistor IRG4PC30SPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247...

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IRG4PC30UDPBF

IGBT transistor IRG4PC30UDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 91 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247...

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IRG4PC40KDPBF

IGBT transistor IRG4PC40KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-24...

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IRG4PC40KPBF

IGBT transistor IRG4PC40KPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247...

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IRG4PC40UDPBF

IGBT transistor IRG4PC40UDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 54 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-24...

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IRG4PC40WPBF

IGBT transistor IRG4PC40WPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247...

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IRG4PC50FDPBF

IGBT transistor IRG4PC50FDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 55 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-24...

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IRG4PC50FPBF

IGBT transistor IRG4PC50FPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 31 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247...

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IRG4PC50KDPBF

IGBT transistor IRG4PC50KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 63 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-24...

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IRG4PF50WPBF

IGBT transistor IRG4PF50WPBF. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3300pF. CE-Diode: nein. Einschaltzeit...

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IRG4PH20KDPBF

IGBT transistor IRG4PH20KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-...

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IRG4PH40KPBF

IGBT transistor IRG4PH40KPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247...

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IRG4PH40UDPBF

IGBT transistor IRG4PH40UDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 46 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247...

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IRGB14C40LPBF

IGBT transistor IRGB14C40LPBF. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 825pF. CE-Diode: nein. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2....

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IRGP4068D-EPBF

IGBT transistor IRGP4068D-EPBF. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3025pF. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gehä...

10.25fr

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IXGH39N60BD1

IGBT transistor IXGH39N60BD1. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Geh...

23.08fr

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IXXK200N65B4

IGBT transistor IXXK200N65B4. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 760pF. CE-Diode: nein. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Gate/Emitter...

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