IGBT-Transistoren

60 Produkte in der Kategorie IGBT-Transistoren verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel Infineon, Infineon Technologies, Toshiba, Rohm, Onsemi, und 8 weiteren Herstellern

IXYK140N90C3

IGBT transistor IXYK140N90C3. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 9830pF. CE-Diode: nein. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT für 20-50-kHz-Schaltung. Gate/Emitter-Span...

31.90fr

Menge auf Lager: 3

RGPR20NS43HRTL

IGBT transistor RGPR20NS43HRTL. Gehäuse: TO-263-3. Kollektorstrom Ic [A]: 20A. Leistung: 107W. Modyp: IGBT. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 460V...

6.98fr

Menge auf Lager: 3

SGH80N60UFDTU

IGBT transistor SGH80N60UFDTU. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. ...

12.39fr

Menge auf Lager: 89

SGP30N60HS

IGBT transistor SGP30N60HS. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehä...

4.86fr

Menge auf Lager: 103

SGW25N120

IGBT transistor SGW25N120. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 990 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäu...

19.34fr

Menge auf Lager: 51

SGW30N60

IGBT transistor SGW30N60. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 389 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäus...

9.91fr

Menge auf Lager: 82

SGW30N60HS

IGBT transistor SGW30N60HS. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1500pF. CE-Diode: nein. Einschaltzeit t...

9.24fr

+52 schnell
Menge auf Lager: 19

SKW30N60HS

IGBT transistor SKW30N60HS. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1500pF. CE-Diode: ja. Diodenschwellensp...

6.76fr

+106 schnell
Menge auf Lager: 44

STGP19NC60HD

IGBT transistor STGP19NC60HD. Aufladung: 31nC. Emitter - Torspannung: ±20V. Gehäuse: TO220AB. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Leistung: 130W. Montage/Installation: THT. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP ...

5.90fr

Menge auf Lager: 25

STGP19NC60KD

IGBT transistor STGP19NC60KD. Aufladung: 55nC. Emitter - Torspannung: ±20V. Gehäuse: TO220. Kollektorstrom Ic [A]: 35A. Konditionierung: tubus. Leistung: 125W. Montage/Installation: THT. RoHS: ja. S...

4.67fr

Menge auf Lager: 2

STGW40NC60KD

IGBT transistor STGW40NC60KD. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2870pF. CE-Diode: ja. Funktion: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gat...

6.99fr

Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 21

STGW60V60DF

IGBT transistor STGW60V60DF. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 8000pF. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Gat...

9.97fr

Menge auf Lager: 13