IGBT transistor IGW75N65H5XKSA1
Menge
Stückpreis
1-4
7.46fr
5-9
6.32fr
10-19
6.10fr
20-49
5.95fr
50+
5.76fr
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IGBT transistor IGW75N65H5XKSA1. Aufladung: 160nC. Emitter - Torspannung: ±20V. Gehäuse: TO247. Kollektorstrom Ic [A]: 75A. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 300A. Spannung (Sammler - Emitter): 650V. Technologie: TRENCHSTOP™. Transistortyp: IGBT. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 31/12/2025, 18:10
IGW75N65H5XKSA1
10 Parameter
Aufladung
160nC
Emitter - Torspannung
±20V
Gehäuse
TO247
Kollektorstrom Ic [A]
75A
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
300A
Spannung (Sammler - Emitter)
650V
Technologie
TRENCHSTOP™
Transistortyp
IGBT
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies