IGBT transistor IKP10N60T
Menge
Stückpreis
1-2
3.04fr
3-9
2.67fr
10-19
2.43fr
20-29
2.23fr
30-49
2.09fr
50+
2.08fr
| Menge auf Lager: 31 |
IGBT transistor IKP10N60T. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 24A. Leistung: 110W. Transistortyp: IGBT-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 02/01/2026, 03:21
IKP10N60T
6 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektorstrom
24A
Leistung
110W
Transistortyp
IGBT-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies