IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1
Menge
Stückpreis
1-1
11.04fr
2-3
9.91fr
4-5
9.03fr
6-29
8.19fr
30+
8.15fr
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IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. Drain-Source-Spannung: 1200V. Eingebaute Diode: ja. Gehäuse: TO-247AC. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Transistortyp: IGBT-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 15:30
IKW25N120H3FKSA1
7 Parameter
Drain-Source-Spannung
1200V
Eingebaute Diode
ja
Gehäuse
TO-247AC
Kollektorstrom
50A
Leistung
326W
Transistortyp
IGBT-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies