IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1
Menge
Stückpreis
1-1
11.12fr
2-3
9.98fr
4-5
9.09fr
6-29
8.24fr
30+
8.21fr
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IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. Drain-Source-Spannung: 1200V. Eingebaute Diode: ja. Gehäuse: TO-247AC. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Transistortyp: IGBT-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 02/01/2026, 03:21
IKW25N120H3FKSA1
7 Parameter
Drain-Source-Spannung
1200V
Eingebaute Diode
ja
Gehäuse
TO-247AC
Kollektorstrom
50A
Leistung
326W
Transistortyp
IGBT-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies