IGBT transistor IKW50N120CS7XKSA1
Menge
Stückpreis
1-4
22.21fr
5-9
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IGBT transistor IKW50N120CS7XKSA1. Aufladung: 290nC. Eingebaute Diode: ja. Emitter - Torspannung: ±20V. Gehäuse: TO-247AC. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom Ic [A]: 50A. Kollektorstrom: 82A. Leistung: 428W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 150A. Spannung (Sammler - Emitter): 1200V. Transistortyp: IGBT-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:16
IKW50N120CS7XKSA1
13 Parameter
Aufladung
290nC
Eingebaute Diode
ja
Emitter - Torspannung
±20V
Gehäuse
TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung
1200V
Kollektorstrom Ic [A]
50A
Kollektorstrom
82A
Leistung
428W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
150A
Spannung (Sammler - Emitter)
1200V
Transistortyp
IGBT-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies