IGBT transistor IRG4PC50KDPBF

IGBT transistor IRG4PC50KDPBF

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IGBT transistor IRG4PC50KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 63 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Gehäuse: TO-247AC. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC50KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 52A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 104A. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:39

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PC50KDPBF
16 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
150 ns
Einschaltzeit ton [nsec.]
63 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
6V
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AC
Gehäuse
TO-247AC
Herstellerkennzeichnung
IRG4PC50KD
Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]
600V
Kollektorstrom Ic [A]
52A
Komponentenfamilie
IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
200W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
104A
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier