IGBT transistor IRG4PH20KDPBF

IGBT transistor IRG4PH20KDPBF

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IGBT transistor IRG4PH20KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Gehäuse: TO-247AC. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH20KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 11A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 22A. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PH20KDPBF
16 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
100 ns
Einschaltzeit ton [nsec.]
50 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
6.5V
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AC
Gehäuse
TO-247AC
Herstellerkennzeichnung
IRG4PH20KD
Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]
1.2 kV
Kollektorstrom Ic [A]
11A
Komponentenfamilie
IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
60W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
22A
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier