IGBT transistor SGW25N120. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 990 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-247AC. Herstellerkennzeichnung: SGW25N120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 46A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 84A. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16