IGBT transistor SGW30N60HS. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1500pF. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Ic(Impuls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Kanaltyp: N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Kollektorstrom: 41A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 200pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 112A. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40