IGBT transistor SKW30N60HS. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1500pF. CE-Diode: ja. Diodenschwellenspannung: 1.95V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: K30N60HS. Ic(Impuls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K30N60HS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Kollektorstrom: 41A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 200pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 112A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40