Auf Lager
Infineon Technologies
Infineon IR2101STRPBF MOSFET Halbbrücken-Gate-Treiber, High/Low-Side, SO8, 600V
Produktreferenz : IR2101STRPBF
Mengenrabatte – Sparen Sie beim Kauf
| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.22 fr | — |
| 5 – 9 | 1.38 fr | -38% |
| 10 – 19 | 1.25 fr | -44% |
| 20 – 49 | 1.16 fr | -48% |
| 50+Bestpreis | 1.10 fr | -50% |
Technische Produktbeschreibung (IR2101STRPBF):
Infineon IR2101STRPBF MOSFET Halbbrücken-Gate-Treiber, High/Low-Side, SO8. Herstellerbezeichnung: IR2101STRPBF. RoHS-konform: Ja. Gehäuse: SO8. Leistung: 625mW. Montage: SMD. Verpackungsart: Rolle, Band. Betriebstemperatur: -40...125°C. Typ des integrierten Schaltkreises: Treiber. Anzahl der Kanäle: 2. Versorgungsspannung: 10...20VDC. Art des integrierten Schaltkreises: Gate-Treiber, High/Low-Side. Ausgangsstrom: -270...130mA. Einschaltzeit: 160ns. Ausschaltzeit: 150ns. Topologie: MOSFET Halbbrücke. Spannungsklasse: 600V.