Infineon IRLB8721 N-Kanal HEXFET Power MOSFET 30V 64A TO-220AB

Technische Produktbeschreibung (IRLB8721):

Spannung Vds(max): 30V. Idss (max): 150uA. Id (T=25°C): 64A. Id (T=100°C): 45A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.0065 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220AB. Gehäuse: TO-220. RoHS: Ja. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra-niedriger Durchlasswiderstand, schnelles Schalten. Technologie: HEXFET Power MOSFET. G-S Schutz: Nein. Td(off): 9 ns. Idss (min): 1uA. Td(on): 9.1 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 250A. Vgs(th) min.: 1.35V. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Trr Diode (Min.): 16 ns. Maximale Verlustleistung: 65W. Drain-Source-Schutz: Ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V.