Auf Lager
Infineon
Infineon NTR4101PT1G P-Kanal MOSFET -20V -1.8A SOT-23 SMD Transistor
Produktreferenz : NTR4101PT1G
Mengenrabatte – Sparen Sie beim Kauf
| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 20 – 20 | 0.22 fr | — |
| 21 – 180 | 0.20 fr | -9% |
| 181 – 980 | 0.18 fr | -18% |
| 981 – 2980 | 0.17 fr | -23% |
| 2981+Bestpreis | 0.16 fr | -27% |
Technische Produktbeschreibung (NTR4101PT1G):
Der NTR4101PT1G ist ein Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET, hergestellt von Infineon. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Zu den Hauptspezifikationen gehören eine Drain-Source-Spannung (Vdss) von -20V, ein kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von -1.8A und eine maximale Verlustleistung (Pd) von 0.46W. Die Gate-Source-Spannung (Vgs, Max) beträgt ±8V. Er arbeitet in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis 150°C. Diese Komponente ist in einem SOT-23-Gehäuse gekapselt und für die SMD-Montage ausgelegt. Sie verfügt über eine P-Kanal-Polarität und unterstützt Ansteuerspannungen von 1.8V und 4.5V. MSL: 1.