Infineon SPP11N60C3 N-Kanal CoolMOS Leistungs-MOSFET, 650V, 11A, TO-220

Technische Produktbeschreibung (SPP11N60C3):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 650V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 100uA. Drainstrom Id (T=25°C): 11A. Drainstrom Id (T=100°C): 7A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220. Gehäuse: TO-220. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstromfähigkeit. Technologie: Cool Mos POWER Transistor. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 44 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss (min): 0.1uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 10 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 33A. Gehäusemarkierung: 11N60C3. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 2.1V. Eingangskapazität C (in): 1200pF. Ausgangskapazität C (out): 390pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 400 ns. Max. Verlustleistung: 125W. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Gate-Source-Spannung Vgs: 20V. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 3.9V