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Infineon Technologies
Infineon Technologies IR2109PBF Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Gate-Treiber DIP8 600V
Produktreferenz : IR2109PBF
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 4.02 fr | — |
| 3 – 9 | 3.49 fr | -13% |
| 10 – 14 | 3.13 fr | -22% |
| 15 – 49 | 2.81 fr | -30% |
| 50+Bestpreis | 2.80 fr | -30% |
Technische Produktbeschreibung (IR2109PBF):
RoHS-konform: Ja. Anzahl der Anschlüsse: 8. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Maximale Temperatur: +125°C. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Treiberschaltung. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Treiberschaltung. Anzahl der Schaltungen: 1. Spannung: +20V/600V.