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Mitsubishi Electric Semiconductor

Mitsubishi Electric Semiconductor 2SC1970 NPN Transistor - n/a

Produktreferenz : 2SC1970
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Technische Spezifikationen

5 Parameter
ParameterWert
Max. Vcbo Spannung40 V
Max. Ic Strom0.6 A
Gehäusen/a
TypNPN

Technische Produktbeschreibung (2SC1970):

Der 2SC1970 ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor in einem n/a-Gehäuse. Ideal für universelle HF-Anwendungen und Hochfrequenzoszillatoren.<br><br>