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Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor 2SD712 NPN Transistor - n/a
Produktreferenz : 2SD712
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1+Bestpreis | 0.83 fr | — |
Technische Spezifikationen
5 Parameter| Parameter | Wert |
| Max. Vcbo Spannung | 100 V |
| Max. Ic Strom | 4.0 A |
| Gehäuse | n/a |
| Typ | NPN |
Technische Produktbeschreibung (2SD712):
Der 2SD712 ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor in einem n/a-Gehäuse. Ideal für universelle HF-Anwendungen und Hochfrequenzoszillatoren.<br><br>