N-Kanal-FETs und MOSFETs - RPtronics. Seite 13 von 52

FDPF12N50NZ

N-Kanal-Transistor FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.46 Ohms. Gehäuse: TO-2...

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FDPF5N50T

N-Kanal-Transistor FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.15 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäu...

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FDPF7N50U

N-Kanal-Transistor FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäu...

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FDS6670A

N-Kanal-Transistor FDS6670A, SO8, 30 v. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-K...

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FDS6690A

N-Kanal-Transistor FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 9.8m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung ...

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FDS6900AS

N-Kanal-Transistor FDS6900AS, SO, 8.2A, 8.2A, 30 v, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. ID (T=25°C): 8.2A. IDSS (max): 8.2A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Gehäuse (laut Da...

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FDS6912

N-Kanal-Transistor FDS6912, SO8, 30 v. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Ka...

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FDS8884

N-Kanal-Transistor FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 19m Ohms. Gehäuse (laut Da...

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FDS9926A

N-Kanal-Transistor FDS9926A, 5.4A, SO, SO-8. ID (T=100°C): 5.4A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja....

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FDV301N

N-Kanal-Transistor FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Gehäuse: SOT23. Vdss (Drain-Source-Spannung): 25V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltver...

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FDV303N

N-Kanal-Transistor FDV303N, SOT-23, 25V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-...

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FGA60N65SMD

N-Kanal-Transistor FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 6...

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FGB20N60SF

N-Kanal-Transistor FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2-PAK. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der...

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FGH40N60SFDTU

N-Kanal-Transistor FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3...

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FGH40N60SMDF

N-Kanal-Transistor FGH40N60SMDF, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3....

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FGH40N60UFD

N-Kanal-Transistor FGH40N60UFD, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. ...

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FGH60N60SFD

N-Kanal-Transistor FGH60N60SFD, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. ...

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FGH60N60SFTU

N-Kanal-Transistor FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3....

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FGH60N60SMD

N-Kanal-Transistor FGH60N60SMD, TO-247, 60A, TO-247AB, 600V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. ...

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FP25R12W2T4

N-Kanal-Transistor FP25R12W2T4, 25A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 56.7x48x12mm. ...

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FQA10N80C

N-Kanal-Transistor FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Gehäus...

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FQA11N90C

N-Kanal-Transistor FQA11N90C, TO-3PN, 900V. Gehäuse: TO-3PN. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-...

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FQA11N90C_F109

N-Kanal-Transistor FQA11N90C_F109, TO-3PN, 900V. Gehäuse: TO-3PN. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. ...

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FQA11N90_F109

N-Kanal-Transistor FQA11N90_F109, TO-3PN, 900V. Gehäuse: TO-3PN. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 340 ns. C...

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