N-Kanal-FETs und MOSFETs - RPtronics. Seite 20 von 52

IRF3710

N-Kanal-Transistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 23m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäus...

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N-Kanal-Transistor IRF3710PBF, TO220, 100V, 100V. Gehäuse: TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl ...

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IRF3710S

N-Kanal-Transistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Ge...

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IRF3710SPBF

N-Kanal-Transistor IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec...

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IRF3710Z

N-Kanal-Transistor IRF3710Z, TO220, TO220AB. Gehäuse: TO220, TO220AB. Aufladung: 82nC. Drain-Source-Spannung: 100V. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 920mK/W. Konditi...

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IRF3711S

N-Kanal-Transistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.7M Ohms. Geh...

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IRF3711ZS

N-Kanal-Transistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohm. Ge...

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IRF3808

N-Kanal-Transistor IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0059 Ohms. Gehäuse: TO-220. ...

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IRF450

N-Kanal-Transistor IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehä...

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IRF510

N-Kanal-Transistor IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäu...

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IRF510PBF

N-Kanal-Transistor IRF510PBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.54 Ohms, 100V. Gehäuse: TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwid...

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IRF520

N-Kanal-Transistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Geh..

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IRF520NPBF

N-Kanal-Transistor IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Drain-Source...

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IRF520PBF-IR

N-Kanal-Transistor IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns....

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IRF530

N-Kanal-Transistor IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäu...

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IRF530N

N-Kanal-Transistor IRF530N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehä...

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IRF530NPBF-IR

N-Kanal-Transistor IRF530NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 35 ns...

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IRF530PBF

N-Kanal-Transistor IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO220AB. Antriebss...

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IRF540

N-Kanal-Transistor IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.077 Ohms. Gehäuse: TO-220. Geh..

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IRF540N

N-Kanal-Transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Geh...

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IRF540NPBF

N-Kanal-Transistor IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse: TO220AB. Antrie...

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IRF540NPBF-IR

N-Kanal-Transistor IRF540NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns...

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IRF540NS

N-Kanal-Transistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Ge...

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IRF540NSPBF

N-Kanal-Transistor IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec...

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