N-Kanal-Transistor 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1800pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: High Speed, H.V. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kosten): 105pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31