N-Kanal-Transistor 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2600pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2699. Kosten): 270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31