N-Kanal-Transistor STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

N-Kanal-Transistor STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
3.68fr
5-24
3.25fr
25-49
2.75fr
50+
2.48fr
+23 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 12

N-Kanal-Transistor STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 50mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2030pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1mA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W13NK60Z. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 210pF. Leistung: 150W. Maximaler Drainstrom: 13A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STW13NK60Z
37 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
600V
Einschaltwiderstand Rds On
0.48 Ohms
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
13A
IDSS (max)
50mA
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2030pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1mA
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
W13NK60Z
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
210pF
Leistung
150W
Maximaler Drainstrom
13A
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
160W
RoHS
ja
Spec info
„EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“
Td(off)
61 ns
Td(on)
22 ns
Technologie
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
570 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für STW13NK60Z