N-Kanal-Transistor 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
1.87fr
5-24
1.61fr
25-49
1.41fr
50-99
1.28fr
100+
1.10fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 78

N-Kanal-Transistor 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1050pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3562. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3562
27 Parameter
ID (T=100°C)
6A
ID (T=25°C)
6A
IDSS
100uA
IDSS (max)
6A
Einschaltwiderstand Rds On
0.9 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
1050pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
ja
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3562
Kosten)
110pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Td(off)
130 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1000 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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