N-Kanal-Transistor TK6A60D, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 800pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K6A60D. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08