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N-Kanal-Transistor 2SK956, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V
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1-4
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5-24
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25-49
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50+
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N-Kanal-Transistor 2SK956, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25
2SK956
15 Parameter
ID (T=25°C)
9A
IDSS (max)
9A
Einschaltwiderstand Rds On
1 Ohm
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
800V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Id(imp)
26A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
Technologie
F-II Series POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric