N-Kanal-Transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC
Menge
Stückpreis
1-1
32.93fr
2-2
30.92fr
3-3
29.36fr
4-4
27.82fr
5-9
26.66fr
10-29
26.18fr
30+
26.16fr
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N-Kanal-Transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Drain-Source-Spannung (Vds): 1200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja. Kanaltyp: N. Leistung: 228W. Maximaler Drainstrom: 52A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 31/12/2025, 21:18
AIMW120R035M1HXKSA1
9 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
1200V
Einschaltwiderstand Rds On
0.035 Ohms
Gehäuse
TO-247AC
Eingebaute Diode
ja
Kanaltyp
N
Leistung
228W
Maximaler Drainstrom
52A
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies