N-Kanal-Transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC

Menge

Stückpreis

1-1

32.61fr

2-2

30.62fr

3-3

29.08fr

4-4

27.55fr

5-9

26.40fr

10-29

25.93fr

30+

25.91fr

Menge auf Lager: 27

N-Kanal-Transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Drain-Source-Spannung (Vds): 1200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja. Kanaltyp: N. Leistung: 228W. Maximaler Drainstrom: 52A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 12:59

Technische Dokumentation (PDF)

AIMW120R035M1HXKSA1

9 Parameter

Drain-Source-Spannung (Vds)

1200V

Einschaltwiderstand Rds On

0.035 Ohms

Gehäuse

TO-247AC

Eingebaute Diode

Kanaltyp

Leistung

228W

Maximaler Drainstrom

52A

Transistortyp

MOSFET-Leistungstransistor

Originalprodukt vom Hersteller

Infineon Technologies