N-Kanal-Transistor AOT10N60, TO220
Menge
Stückpreis
1-4
3.43fr
5-9
2.50fr
10-19
2.35fr
20-49
2.26fr
50+
2.17fr
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N-Kanal-Transistor AOT10N60, TO220. Gehäuse: TO220. Aufladung: 31nC. Drain-Source-Spannung: 600V. Gate-Source-Spannung: ±30V. Leistung: 250W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 10A, 7.2A. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:18
AOT10N60
11 Parameter
Gehäuse
TO220
Aufladung
31nC
Drain-Source-Spannung
600V
Gate-Source-Spannung
±30V
Leistung
250W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
10A, 7.2A
Transistortyp
N-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor