N-Kanal-Transistor BTS117BKSA1, 60V, 0.10 Ohms, TO-220
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N-Kanal-Transistor BTS117BKSA1, 60V, 0.10 Ohms, TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 60V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: TO-220. Kanaltyp: N. Kontrolle: Logikebene. Leistung: 50W. Maximaler Drainstrom: 7A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 09:37
BTS117BKSA1
9 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
60V
Einschaltwiderstand Rds On
0.10 Ohms
Gehäuse
TO-220
Kanaltyp
N
Kontrolle
Logikebene
Leistung
50W
Maximaler Drainstrom
7A
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies