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N-Kanal-Transistor BUZ76, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V
Menge
Stückpreis
1-4
2.89fr
5-49
2.39fr
50-99
2.01fr
100+
1.82fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 2 |
N-Kanal-Transistor BUZ76, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Spannung Vds(max): 400V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Hinweis: <57/115ns. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57
BUZ76
13 Parameter
ID (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
3A
IDSS (max)
3A
Einschaltwiderstand Rds On
1.8 Ohms
Spannung Vds(max)
400V
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Hinweis
<57/115ns
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies