N-Kanal-Transistor FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

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N-Kanal-Transistor FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 650V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1148pF. Funktion: Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kosten): 671pF. Leistung: 36W. Maximaler Drainstrom: 11A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Technologie: SuperFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)

FCPF11N60

26 Parameter

Drain-Source-Spannung (Vds)

650V

Einschaltwiderstand Rds On

0.33 Ohms

Gehäuse

TO-220FP

ID (T=100°C)

ID (T=25°C)

11A

IDSS (max)

10uA

Gehäuse (laut Datenblatt)

TO-220F

Spannung Vds(max)

600V

Betriebstemperatur

-55...+150°C

C(in)

1148pF

Funktion

Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF

Gate/Source-Spannung Vgs

30 v

IDss (min)

1uA

Id(imp)

33A

Kanaltyp

Kosten)

671pF

Leistung

36W

Maximaler Drainstrom

11A

Menge pro Karton

Montage/Installation

Leiterplattendurchsteckmontage

Pd (Verlustleistung, max)

36W

Technologie

SuperFET

Transistortyp

MOSFET

Vgs(th) max.

Vgs(th) min.

Originalprodukt vom Hersteller

Fairchild