N-Kanal-Transistor IRFB4227, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 19.7m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 4600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: PDP-Switch. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 260A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 460pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43