N-Kanal-Transistor IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT4

Technische Produktbeschreibung (IRFR3505):

Spannung Vds(max): 55V. IDSS (max): 250uA. ID (T=25°C): 71A. ID (T=100°C): 49A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. G-S-Schutz: nein. Td(off): 43 ns. IDss (min): 20uA. Td(on): 13 ns. Menge pro Karton: 1. Id(imp): 280A. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 2030pF. Kosten): 470pF. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Drain-Source-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v