N-Kanal-Transistor SPP11N60S5, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1460pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 22A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N60S5. Kosten): 610pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 650ms. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54