N-Kanal-Transistor YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB

Menge

Stückpreis

1-4

1.79fr

5-19

1.49fr

20-29

1.34fr

30-49

1.22fr

50-99

1.13fr

100+

1.10fr

Menge auf Lager: 430

N-Kanal-Transistor YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0055 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Kanaltyp: N. Leistung: 260W. Maximaler Drainstrom: 130A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 05:18

Technische Dokumentation (PDF)

YJP130G10B

8 Parameter

Drain-Source-Spannung (Vds)

100V

Einschaltwiderstand Rds On

0.0055 Ohms

Gehäuse

TO-220AB

Kanaltyp

Leistung

260W

Maximaler Drainstrom

130A

Transistortyp

MOSFET-Leistungstransistor

Originalprodukt vom Hersteller

Yangjie Electronic Technology