NPN-Transistor 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

NPN-Transistor 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Menge
Stückpreis
1-4
0.26fr
5-49
0.22fr
50-99
0.19fr
100-199
0.16fr
200+
0.14fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 164

NPN-Transistor 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: -. Konditionierungseinheit: 2000. Kosten): 4pF. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 4.5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N5210
24 Parameter
Kollektorstrom
100mA
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Konditionierungseinheit
2000
Kosten)
4pF
Maximaler hFE-Gewinn
600
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
200
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.7V
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
4.5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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