NPN-Transistor 2SA781, D35/B, 20V/15V, 200mA
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NPN-Transistor 2SA781, D35/B, 20V/15V, 200mA. Gehäuse: D35/B. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:15
2SA781
8 Parameter
Gehäuse
D35/B
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
20V/15V
Kollektorstrom Ic [A], max.
200mA
Anzahl der Terminals
3
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.2W
RoHS
nein