NPN-Transistor 2SA838, TO-92, 30V/20V, 30mA, 0.03A, 30 v

NPN-Transistor 2SA838, TO-92, 30V/20V, 30mA, 0.03A, 30 v

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NPN-Transistor 2SA838, TO-92, 30V/20V, 30mA, 0.03A, 30 v. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Kollektorstrom: 0.03A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: nein. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Matsushita. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:35

Technische Dokumentation (PDF)
2SA838
17 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
30V/20V
Kollektorstrom Ic [A], max.
30mA
Kollektorstrom
0.03A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Anzahl der Terminals
3
FT
300 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.25W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
0.25W
RoHS
nein
Transistortyp
PNP
Originalprodukt vom Hersteller
Matsushita