NPN-Transistor 2SA900, TO-126, 20V/18V, 1A, 1A, 20V. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/18V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 200 MHz. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.2W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 4W. RoHS: nein. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: --. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:35