NPN-Transistor 2SB1009, TO-126, 40V/32V, 2A

NPN-Transistor 2SB1009, TO-126, 40V/32V, 2A

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NPN-Transistor 2SB1009, TO-126, 40V/32V, 2A. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:40

2SB1009
8 Parameter
Gehäuse
TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
40V/32V
Kollektorstrom Ic [A], max.
2A
Anzahl der Terminals
3
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
10W
RoHS
nein