NPN-Transistor 2SC5200, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V

NPN-Transistor 2SC5200, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V

Menge
Stückpreis
1-4
6.13fr
5-24
5.38fr
25-49
4.80fr
50-99
4.37fr
100+
3.74fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 165

NPN-Transistor 2SC5200, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5200 (Q). Kosten): 200pF. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1943. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 230V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5200
27 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-264 ( 2-21F1A )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
230V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
HI-FI-Leistungsverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C5200 (Q)
Kosten)
200pF
Maximaler hFE-Gewinn
160
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
80
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1943
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Technologie
„Triple Diffused Planar Transistor“
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
VCBO
230V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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